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GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
标准编号：GB/T 11297.6-1989
标准名称：锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
英文名称：Standard method for showing andmeasuring dislocation etch pits in indium antimonide single crystal
发布日期：1989-03-31
实施日期：1990-01-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
起草单位
电子十一所
标准范围
本方法采用硝酸-氢氟酸腐蚀剂腐蚀，适用于锑化铟原始晶片（111）铟面a位错的显示和测定。测量面偏离（111）面应不大于3°。