GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

标准编号：GB/T 13389-1992

标准名称：掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

英文名称：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon

发布日期：1992-02-19

实施日期：1992-10-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

起草单位

峨嵋半导体材料研究所

标准范围

本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。 本标准适用于掺杂剂浓度10<上标12>～10<上标21>cm<上标-3>（电阻率0.0001～10，000Ω·cm）掺硼硅单晶和10<上标12>～5×10<上标20>cm<上标-3>（电阻率0.0002～4，000Ω·cm）掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算，也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。

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