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GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
标准编号：GB/T 14847-1993
标准名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
英文名称：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
发布日期：1993-12-30
实施日期：1994-09-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
起草单位
机电部四十六所
标准范围
本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。