- GB/T 4698.22-1996 海绵钛、钛及钛合金化学分析方法 5-Br-PADAP分光光度法测定铌量
- GB/T 4698.21-1996 海绵钛、钛及钛合金化学分析方法 发射光谱法测定锰、铬、镍、铝、钼、锡、钒、钇、铜、锆量
- GB/T 4698.6-1996 海绵钛、钛及钛合金化学分析方法 次甲基蓝萃取分光光度法测定硼量
- GB/T 4698.24-1996 海绵钛、钛及钛合金化学分析方法 丁二酮肟分光光度法测定镍量
- GB/T 4698.2-1996 海绵钛、钛及钛合金化学分析方法 1,10-二氮杂菲分光光度法测定铁量
- GB/T 5121.13-1996 铜及铜合金化学分析方法 铝量的测定
- GB/T 4698.7-1996 海绵钛、钛及钛合金化学分析方法 蒸馏分离-奈斯勒试剂分光光度法测定氮量
- GB/T 5121.16-1996 铜及铜合金化学分析方法 铬量的测定
- GB/T 5121.15-1996 铜及铜合金化学分析方法 钴量的测定
- GB/T 5121.18-1996 铜及铜合金化学分析方法 镁量的测定
GB/T 16595-1996 晶片通用网格规范
标准编号:GB/T 16595-1996
标准名称:晶片通用网格规范
英文名称:Specification for a universal wafer grid
发布日期:1996-11-04
实施日期:1997-04-01
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门:国家标准化管理委员会
起草人
起草单位
中国有色金属工业总公司
标准范围
本标准规定了可用于定量描述公称圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。网格规定包含1000个面积近似相等的网格单元,每个网格单元相当于受检表面固定优质区总面积的0.1%。根据晶片表面上有缺陷的面积百分比(或有效的面积百分比),可定量其非均匀分布的表面缺陷(例如,滑移)。把透明的网格覆盖到晶片缺陷图形上或把被观测的晶片缺陷图形映到网格上,定量有缺陷的面积,计算含有缺陷的网格单元的数量。该单元数除以10相当于有缺陷面积的百分比。也可将该网格叠加在CRT显示器、照片或计算机绘制的图上。使用时,网格的直径必须与所覆盖的晶片图形或图像尺寸成比例。 网格以晶片中心来定位。根据GB/T12964或SEMIM1规定的晶片公称直径,使用“固定优质区”的概念。 外延层上滑移和其他非均匀分布的缺陷,最大允许值已在GB/T14139、SEMIM2和SEMIM11中规定,按照GB/T6624、GB/T14142和YS/T209进行观测。