立即下载标准文件- GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
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GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
标准编号：GB/T 6590-1998
标准名称：半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
英文名称：Semiconductor devices--Discrete devices--Part6:Thyristors--Section Two:Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs)，ambient or case-rated，up to 100A
发布日期：1998-11-17
实施日期：1999-06-01
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门：工业和信息化部（电子）
起草人
起草单位
电子工业部标准化研究所
标准范围
本空白详细规范规定了制定100A以下（含 100A）环境或管壳额定的双向三及闸流晶体管（包括快速型）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范一致。 本空白详细规范是与（GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》（IED 747-10：1984）和GB/T 8560-1990《半导体器件、分立器件规范》（IEC 747-11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。