- GB/Z 18906-2002 开放式电子图书出版物结构
- GB/T 18899-2002 全介质自承式光缆
- GB/T 9634.3-2002 铁氧体磁心表面缺陷极限导则 第3部分:ETD和E形磁心
- GB/T 9634.2-2002 铁氧体磁心表面缺陷极限导则 第2部分:RM磁心
- GB/T 18908.1-2002 工业用时间继电器 第1部分:要求和试验
- GB/T 18904.4-2002 半导体器件 第12-4部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的Pin-FET模块空白详细规范
- GB/T 16649.8-2002 识别卡 带触点的集成电路卡 第8部分:与安全相关的行业间命令
- GB/T 16649.10-2002 识别卡 带触点的集成电路卡 第10部分:同步卡的电信号和复位应答
- GB/T 18905.6-2002 软件工程 产品评价 第6部分:评价模块的文档编制
- GB/T 18904.2-2002 半导体器件 第12-2部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带尾纤的激光二极管模块空白详细规范
GB/T 18911-2002 地面用薄膜光伏组件 设计鉴定和定型
标准编号:GB/T 18911-2002
标准名称:地面用薄膜光伏组件 设计鉴定和定型
英文名称:Thin-film terrestrial photovoltaic(PV) modules--Design qualification and type approval
发布日期:2002-12-04
实施日期:2003-05-01
归口单位:全国太阳光伏能源系统标准化技术委员会
执行单位:全国太阳光伏能源系统标准化技术委员会
主管部门:工业和信息化部(电子)
起草人
起草单位
云南师范大学太阳能研究所
标准范围
本标准规定了地面用薄膜光伏组件设计鉴定和定型的要求,该组件是在GB/T 4797.1—1984和IEC 60721—2—1第1修正案:l987中所定义的一般室外气候条件下长期使用。本标准制定时是以非晶硅薄膜组件技术为主,但同样适用于其他薄膜光伏组件。鉴于其他新技术的特殊性能,有可能需要对该试验程序做修订。 本试验程序主要依据GB/T 9535—1998((地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型》而制定,针对非晶硅薄膜组件的特殊性能作了一些必要的修改。光老炼用于区别光致衰减与其他衰减机制,并将试验程序后期的最大功率作为薄膜组件长期工作性能估计。为区别热循环和湿一热试验中可能产生的退火效应,组件在这些试验之前需进行退火。对于不采用非晶硅的其他薄膜形成技术,诸如光老炼和退火的预处理可能不同或可能证明是不需要。因为所有类型的薄膜组件易受潮引起侵蚀,故须增加一个湿漏电流试验。 本试验程序的目的是在尽可能合理的经费和时间内确定组件的电性能和热性能,表明组件能够在规定的气候条件下长期使用。通过此试验的组件的实际使用寿命期望值将取决于组件的设计以及它们使用的环境和条件。 本标准不适用于带聚光器的组件。