GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

标准编号：GB/T 24581-2009

标准名称：低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

英文名称：Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

梁洪、过惠芬、吴道荣

起草单位

四川新光硅业科技有限责任公司

标准范围

本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10～5.0×1O)a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。

标准文档截图