GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

国家标准
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标准编号:GB/T 24574-2009

标准名称:硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

英文名称:Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities

发布日期:2009-10-30

实施日期:2010-06-01

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

起草人

李静、何秀坤、蔺娴

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所

标准范围

本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各种电活性杂质元素。

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