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GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
标准编号：GB/T 25188-2010
标准名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
英文名称：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
发布日期：2010-09-26
实施日期：2011-08-01
归口单位：全国微束分析标准化技术委员会
执行单位：全国微束分析标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
刘芬、王海、赵志娟、邱丽美、赵良仲、宋小平
起草单位
中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院
标准范围
u3000u3000本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。