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GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
标准编号：GB/T 26070-2010
标准名称：化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
英文名称：Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立
起草单位
中国科学院半导体研究所
标准范围
1.1 本标准规定了Ⅲ—Y族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。