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GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
标准编号：GB/T 14847-2010
标准名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
英文名称：Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
李慎重、何良恩、何秀坤、许峰、刘培东
起草单位
宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
标准范围
本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底在23℃电阻串小于0.02Ω?cm和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω?cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5μm～2μm之间的n型和p型外延层厚度。