GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

标准编号：GB/T 29332-2012

标准名称：半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

英文名称：Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

发布日期：2012-12-31

实施日期：2013-06-01

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会

主管部门：工业和信息化部（电子）

起草人

蔚红旗、张立、王晓宝、秦贤满、陈子颖、乜连波

起草单位

西安电力电子技术研究所、英飞凌科技（中国）有限公司、江苏宏微科技有限公司、西安爱帕克电力电子有限公司、威海新佳电子有限公司

标准范围

本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。

标准文档截图