- GB/T 4325.25-2013 钼化学分析方法 第25部分:氢量的测定 惰气熔融红外吸收法/热导法
- GB/T 4325.6-2013 钼化学分析方法 第6部分:砷量的测定 原子荧光光谱法
- GB/T 4325.20-2013 钼化学分析方法 第20部分:锰量的测定 火焰原子吸收光谱法
- GB/T 4325.11-2013 钼化学分析方法 第11部分:铝量的测定 铬天青S分光光度法和电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 4325.26-2013 钼化学分析方法 第26部分:铝、镁、钙、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、镉、锡、锑、钨、铅和铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 4325.3-2013 钼化学分析方法 第3部分:铋量的测定 原子荧光光谱法
- GB/T 4325.8-2013 钼化学分析方法 第8部分:钴量的测定 钴试剂分光光度法和火焰原子吸收光谱法
- GB/T 4325.24-2013 钼化学分析方法 第24部分:钨量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 4325.7-2013 钼化学分析方法 第7部分:铁量的测定 邻二氮杂菲分光光度法和电感耦合等离子体发射光谱法
- GB/T 4325.9-2013 钼化学分析方法 第9部分:镍量的测定 丁二酮肟分光光度法和火焰原子吸收光谱法
GB/T 29504-2013 300mm 硅单晶
标准编号:GB/T 29504-2013
标准名称:300mm 硅单晶
英文名称:300mm monocrystalline silicon
发布日期:2013-05-09
实施日期:2014-02-01
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门:国家标准化管理委员会
起草人
闫志瑞、孙燕、楼春兰、卢立延、张果虎
起草单位
有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、宁波立立电子股份有限公司
标准范围
本标准规定了直径300mm、p型、(100)晶向、电阻率0.5Ω·cm~20Ω·cmm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于由直拉法制备的硅单晶,主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13μm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片。