GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

标准编号：GB/T 30653-2014

标准名称：Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

英文名称：Test method for crystal quality of III-nitride epitaxial layers

发布日期：2014-12-31

实施日期：2015-09-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

孙宝娟、赵丽霞、李晋闽、王军喜、曾一平

起草单位

中国科学院半导体研究所

标准范围

本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法原理、仪器、测试环境、样品、测试、测试结果的分析、精密度以及测试报告。 本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。

标准文档截图