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GB/T 30654-2014 Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法
标准编号：GB/T 30654-2014
标准名称：Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法
英文名称：Test method for lattice constant of III-nitride epitaxial layers
发布日期：2014-12-31
实施日期：2015-09-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
孙宝娟、赵丽霞、李晋闽、王军喜、曾一平
起草单位
中国科学院半导体研究所
标准范围
本标准规定了利用高分辨X射线衍射测试族氮化物外延片晶格常数的方法。 本标准适用于在氧化物衬底（A120、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物（Ga，In，A1）N单层或多层异质外延片晶格常数的测量。其他异质外延片晶格常数的测量也可 参考本标准。