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GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
标准编号:GB/T 32281-2015
标准名称:太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
英文名称:Test method for measuring oxygen, carbon, boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock by secondary ion mass spectrometry
发布日期:2015-12-10
实施日期:2017-01-01
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门:国家标准化管理委员会
起草人
薛抗美、夏根平、范占军、蒋建国、王泽林、宋高杰、肖宗杰、盛之林、林清香、徐自亮、刘国霞
起草单位
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、中铝宁夏能源集团有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司、宁夏银星多晶硅有限责任公司、新特能源股份有限公司
标准范围
本标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱(SIMS)检测方法。 本标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为0.2%(即<1*10^20 atoms/cm^3),检测下限分别为氧含量≥5*10^16 atoms/cm^3、碳含量≥1*10^16 atoms/cm^3、硼含量1*10^14 atoms/cm^3和 磷含量2*10^14 atoms/cm^3 四种元素体含量的测定可使用配有一次离子源的SIMS仪器一次完成。