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GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
标准编号：GB/T 32282-2015
标准名称：氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
英文名称：Test method for disoclation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy
发布日期：2015-12-10
实施日期：2016-11-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
曾雄辉、张燚、刘争晖、邱永鑫、董晓鸣、牛牧童、王建峰、徐科
起草单位
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司
标准范围
本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。 本标准适用于位错密度在1×10^3 个/cm2~5×10^8 个/cm2 之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。