立即下载标准文件- GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
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GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
标准编号：GB/T 17170-2015
标准名称：半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
英文名称：Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
发布日期：2015-12-10
实施日期：2016-07-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
何秀坤、李静、张雪囡
起草单位
信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子材料行业协会、天津市环欧半导体材料技术有限公司
标准范围
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10^6 Ω·cm 的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。