- GB/T 32565-2016 表面化学分析 俄歇电子能谱(AES)数据记录与报告的规范要求
- GB/T 31897.201-2016 灯具性能 第2-1部分:LED灯具特殊要求
- GB/T 7920.4-2016 混凝土机械术语
- GB/T 32542-2016 建筑施工机械与设备 混凝土泵送用布料杆计算原则和稳定性
- GB/T 32543-2016 建筑施工机械与设备 混凝土输送管 连接型式和安全要求
- GB/T 32620.1-2016 电动道路车辆用铅酸蓄电池 第1部分:技术条件
- GB/T 32529-2016 热处理清洗废液回收及排放技术要求
- GB/T 32505-2016 机床专用变频调速设备
- GB/T 32483.3-2016 灯控制装置的效率要求 第3部分:卤钨灯和LED模块 控制装置效率的测量方法
- GB/T 12009.4-2016 塑料 聚氨酯生产用芳香族异氰酸酯 第4部分:异氰酸根含量的测定
GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
标准编号:GB/T 32495-2016
标准名称:表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
英文名称:Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
发布日期:2016-02-24
实施日期:2017-01-01
归口单位:全国微束分析标准化技术委员会
执行单位:全国微束分析标准化技术委员会
主管部门:国家标准化管理委员会
起草人
马农农、陈潇、何友琴、王东雪
起草单位
中国电子科技集团公司第四十六研究所
标准范围
本标准中,详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法,以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016atoms/cm3 到2.5×1021atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品,坑深在50nm及以上。