GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法

标准编号：GB/T 32651-2016

标准名称：采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法

英文名称：Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry

发布日期：2016-04-25

实施日期：2016-11-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

何莉、吴建国、刘晓霞、鲁文锋、李建德、黄雪雯、裴会川、王琴、周滢、陈进、封丽娟、孙绍武、冯亚彬

起草单位

国家太阳能光伏产品质量监督检验中心（无锡市产品质量监督检验中心）、国家硅材料深加工产品质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、江苏中能硅业科技发展有限公司、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司

标准范围

本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。 本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定，其中铁（Fe）、铬（Cr）、镍（Ni）、铜（Cu）、锌（zn）、硼（B）、磷（P）、钙（Ca）、钠（Na）、镁（Mg）、铝（A1）、砷（As）、（Sc）、（Ti）、钒（v）、锰（Mn）、钻（C。）、（Ga）等元素的测定范围为5 μg／kg～50mg／kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料，例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。

标准文档截图