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GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
标准编号：GB/T 34481-2017
标准名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
英文名称：Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
发布日期：2017-10-14
实施日期：2018-07-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
惠峰、普世坤、董汝昆
起草单位
云南中科鑫圆晶体材料有限公司、中科院半导体研究所、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
标准范围
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。
本标准适用于测试位错密度小于1000个／cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。