GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

标准编号：GB/T 36646-2018

标准名称：制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

英文名称：Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy

发布日期：2018-09-17

实施日期：2019-01-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

刘鹏、孙永健、王健辉、丁晓民、冯亚彬

起草单位

东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院

标准范围

本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备（以下简称“HVPE设备”）的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。

本标准适用于制备直径50.8mm~152.4mm氮化物半导体材料的HVPE设备。

标准文档截图