GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

标准编号：GB/T 1551-2021

标准名称：硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

英文名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method

发布日期：2021-05-21

实施日期：2021-12-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

刘立娜、刘兆枫、杨素心、孙燕、梁洪、潘金平、李慎重、潘文宾、皮坤林、何烜坤、刘刚、高英、王昕、楼春兰、宗冰、蔡丽艳、王志强

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、有研半导体材料有限公司、青海芯测科技有限公司、乐山市产品质量监督检验所、亚洲硅业（青海）股份有限公司、开化县检验检测研究院、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广州市昆德科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司、中国计量科学研究院、浙江金瑞泓科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、义乌力迈新材料有限公司

标准范围

本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。

本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的P型硅单晶电阻率范围为7X10^-4Ω·cm~8X10³Ω·cm，n型硅单晶电阻率范围为7X10^-4Ω·cm~1.5X10^-4Ω·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率。测试范围为1X10^-3Ω·cm~1X10^-4Ω·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3：1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。

标准文档截图