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YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法
标准编号:YS/T 679-2018
标准名称:非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法
发布日期:2018-10-22
实施日期:2019-04-01
归口单位:
批准发布部门:工业和信息化部
起草人
起草单位
标准范围
本标准规定了非本征半导体材料中少数载流子扩散长度的测试方法,包含稳态光电压法、恒定光通量法和数字示波器记录法。
本标准适用于非本征半导体材料,如硅单晶片或相同导电类型重掺衬底上沉积的、已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测试,测试样品(外延层)的厚度大于扩散长度的4倍。本标准可测试样品的电阻率和载流子寿命的极限尚未确定,但已对电阻率0.1Ω · cm~50Ω · cm、载流子寿命短至2ns的P型和N型硅样品进行了测试。本标准还可通过i试扩散长度后计算出硅中的铁含量,具体见附录A。
本标准也可用于测试其他半导体材料,如砷化镓样品(需同时调整相应的光照波长(能量)范围和样品制备工艺)等的有效扩散长度,评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品中的有效扩散长度,还可用于测试硅片洁净区宽度,以及太阳能电池和其他光学器件的有效扩散长度。