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SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
标准编号：SJ/T 11490-2015
标准名称：低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：工业和信息化部
起草人
章安辉、何秀坤、刘兵 等
起草单位
信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等
标准范围
本标准规定了低位错密度砷化镓(GaAs)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。 本标准适用于直径2英寸和3英寸且EPD小于5000／cm2 的圆形GaAs晶片的EPD的测量。