立即下载标准文件- SJ/T 11486-2015 小功率LED芯片技术规范
- SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
- SJ/T 11485-2015 LED型号命名规则
- SJ/T 11521.3-2015 数字电视接收设备交互式平台 第3部分：系统测试规范
- SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
- SJ/T 11460.6.1-2015 液晶显示用背光组件 第6-1部分: 测试方法 光学与光电参数
- SJ/T 11517-2015 电子工业用气体 一氧化碳
- SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
- SJ/T 11514-2015 印制电路用热固型导体浆料
- SJ/T 11521.1-2015 数字电视接收设备交互式平台 第1部分：系统架构
SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南
标准编号：SJ/T 11495-2015
标准名称：硅中间隙氧的转换因子指南
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：工业和信息化部
起草人
李静、何秀坤、刘兵 等
起草单位
信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等
标准范围
本标准规定了硅中间隙氧的转换因子指南。 标准适用于在室温下测试电阻率大于0.1Ω·cm的n型硅单晶和电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间氧含量。