立即下载标准文件- SJ/T 11528-2015 信息技术 移动存储 存储卡通用规范
- SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
- SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
- SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南
- SJ/T 11486-2015 小功率LED芯片技术规范
- SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
- SJ/T 11485-2015 LED型号命名规则
- SJ/T 11521.3-2015 数字电视接收设备交互式平台 第3部分：系统测试规范
- SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
- SJ/T 11460.6.1-2015 液晶显示用背光组件 第6-1部分: 测试方法 光学与光电参数
SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
标准编号：SJ/T 11492-2015
标准名称：光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
发布日期：2015-04-30
实施日期：2015-10-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：工业和信息化部
起草人
李静、金鹏、何秀坤 等
起草单位
信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、中国科学院半导体研究所等
标准范围
本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAs1-xPx)晶片组分进行测试的方法。 本标准适用于气相外延生长的，光致发光峰（λpl）在640nm～670nm范围内时，对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAs1-xPx晶片。