T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
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标准编号:T/IAWBS 002-2017

标准名称:碳化硅外延片表面缺陷测试方法

发布日期:2017-12-20

实施日期:2017-12-31

团体名称:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草人

钮应喜、杨霏、温家良、吴军民、潘艳、陈志霞、刘丹、冯淦、张新河、田亮、田红林、吴昊、李玲、李永平、张文婷、李嘉琳、焦倩倩、李赟、王英民、贾仁需、刘兴昉、陆敏、彭同华、刘振洲

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、东莞市天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所

标准范围

标准文档截图

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