T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

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标准编号：T/CASAS 010-2019

标准名称：氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法

英文名称：Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in GaN Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry

发布日期：2019-11-25

实施日期：2019-11-25

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

齐俊杰、魏学成、胡超胜、李志超、卫喆、张志国、张凯、田飞飞、许福军、郑永生、郭艳敏、王锡铭、宋德鹏、李晋闽

北京科技大学、中国科学院半导体研究所、北京国联万众半导体有限公司、深圳第三代半导体研究院、中国科学院苏州纳米所、北京大学、广东芯聚能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中科钢研节能科技有限公司、济南力冠电子科技有限公司。