T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验

标准编号：T/IAWBS 009-2019

标准名称：功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验

英文名称：High Voltage Bias Steady-state Temperature Humidity Test for Power Semiconductor Devices

发布日期：2019-12-27

实施日期：2019-12-31

团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草人

张瑾、仇志杰、宁圃奇、陆敏、李尧圣、陈艳芳、魏跃远、王泽兴、潘志坚、冷轶群、刘祎晨、林雪如。

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、全球能源互联网研究院有限公司、北京新能源汽车技术创新中心有限公司、深圳吉华微特电子有限公司。

标准范围

本标准给出了非气密封装的功率半导体器件，包含但不限于绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管、二极管的稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。
本标准适用于硅半导体器件以及宽禁带半导体器件。