标准编号：T/ZSA 38-2020
标准名称：SiC晶片的残余应力检测方法
英文名称：Experimental method for residual stress in SiC wafers
发布日期：2020-12-17
实施日期：2020-12-18
团体名称：中关村标准化协会
起草人
苏飞、闫方亮、彭同华、佘宗静、刘春俊、赵宁、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨
起草单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京天科合达半导体股份有限公司、北京三平泰克科技有限责任公司
标准范围
本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。
本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
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