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T/CES 085-2021 压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验规范
标准编号：T/CES 085-2021
标准名称：压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验规范
英文名称：Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules
发布日期：2021-09-28
实施日期：2021-09-30
团体名称：中国电工技术学会
起草人
李尧圣、陈艳芳、李翠、李金元、邓二平、郭春生、贺庭玉、季凌云、张雷、万超群、魏争
起草单位
全球能源互联网研究院有限公司、北京工业大学、华北电力大学、杭州中安电子有限公司、西安美泰电气科技有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、国网经济技术研究院有限公司
标准范围
本文件规定了压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验的试验电路、设备要求、试验条件、试验步骤、接收判据等要求。
本文件适用于电网电力电子装置用压接型IGBT模块，其他新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此文件。