GB/T 24581-2022 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

标准编号：GB/T 24581-2022

标准名称：硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

英文名称：Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method

发布日期：2022-03-09

实施日期：2022-10-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

梁洪、赵晓斌、魏东亮、王彬、李素青、李朋飞、魏强、楚东旭、刘红、何建军、万涛、薛心禄、邱艳梅、杨素心、赵培芝、王永涛、周延江、刘文明、皮坤林

起草单位

乐山市产品质量监督检验所、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、四川永祥股份有限公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、江苏秦烯新材料有限公司、青海芯测科技有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、洛阳中硅高科技有限公司、国标（北京）检验认证有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、义乌力迈新材料有限公司

标准范围

本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的方法。

本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、V族杂质铝（A1）、锑（Sb）、砷（As）、硼（B）、镓（Ga）、铟（In）和磷（P）含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计）为1.0×10¹⁰cm^-3 ~ 4.1×10¹⁴cm^-3。

标准文档截图