GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

标准编号：GB/T 41325-2022

标准名称：集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

英文名称：Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

发布日期：2022-03-09

实施日期：2022-10-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

孙燕、宁永铎、徐新华、骆红、张海英、由佰玲、钟耕杭、李洋、杨素心、李素青、潘金平

起草单位

有研半导体硅材料股份公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中环领先半导体材料有限公司、山东有研半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体有限公司

标准范围

本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。

本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm和300mm、晶向<100>、电阻率0.1Ω·cm ~ 100Ω·cm的Low-COP抛光片。

标准文档截图