DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法
标准编号：DB35/T 1370-2013
标准名称：发光二极管芯片点测方法
英文名称：Probe test method for light emitting diode chips
发布日期：2013-12-04
实施日期：2014-03-01
起草人
蔡伟智、梁奋、李国煌、吕艳、时军朋、葛莉荭、黄松金、刘毅清、陈涛、兰国政
起草单位
厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协会、国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心
标准范围
本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。
本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。
本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
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