DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法

标准编号：DB35/T 1370-2013

标准名称：发光二极管芯片点测方法

英文名称：Probe test method for light emitting diode chips

发布日期：2013-12-04

实施日期：2014-03-01

起草人

蔡伟智、梁奋、李国煌、吕艳、时军朋、葛莉荭、黄松金、刘毅清、陈涛、兰国政

起草单位

厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协会、国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心

标准范围

本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。

本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。

本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

标准文档截图