GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法

国家标准
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标准编号:GB/T 41765-2022

标准名称:碳化硅单晶位错密度的测试方法

英文名称:Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide

发布日期:2022-10-14

实施日期:2023-05-01

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

起草人

彭同华、佘宗静、赵宁、王波、李素青、娄艳芳、王大军、郭钰、杨建

起草单位

北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司

标准范围

本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。

本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向{1120}方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。

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