T/CI 161-2022 1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器

中国国际科技促进会

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标准编号：T/CI 161-2022

标准名称：1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器

英文名称：1 200 V and 1 700 V Insulated grade bipolar transistor（IGBT）gate driver

发布日期：2022-12-15

实施日期：2022-12-15

团体名称：中国国际科技促进会

起草人

李军、王坤、陈哲、钱方平、刘伟、李景灏、周才运、张杰、郭祥辉、刘乃强、杨昌国、王文广、洪磊、沈军武、付厚、魏平、孔佳佳

杭州飞仕得科技股份有限公司、浙江运达风电股份有限公司、杭州得诚电力科技股份有限公司、杭州飞仕得半导体科技有限公司、杭州毕博标准化技术有限公司

本文件规定了1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器的术语和定义、缩略语、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。

本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器（以下简称“驱动器”）。