DB13/T 5696-2023 基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法
标准编号：DB13/T 5696-2023
标准名称：基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法
发布日期：2023-05-06
实施日期：2023-06-06
起草人
郭跃伟、王鹏、张博、王静辉、闫志峰、郝永利、王景亮、刘子浩
起草单位
河北博威集成电路有限公司
标准范围
本文件规定了基于高温反偏试验的GaN HEMT射频功率器件缺陷快速筛选的筛选原理、筛选条件、筛选系统构成和要求、筛选方法和判据。
本文件适用于工业级GaN HEMT射频功率器件的快速筛选，GaN HEMT射频功率模块可参照使用。
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