GB/T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置

标准编号：GB/T 10067.417-2023

标准名称：电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置

英文名称：Basic specifications for electroheating and electromagnetic processing installations—Part 417:Silicon carbide crystal growth installations

发布日期：2023-05-23

实施日期：2023-12-01

归口单位：全国工业电热设备标准化技术委员会

执行单位：全国工业电热设备标准化技术委员会

主管部门：中国电器工业协会

起草人

李留臣、余维江、谢萍、张永武、潘燕萍、杨昆、陈佩娴、金星宇、杨祯、李琨、曹姣、李明科、赵然、周正星、李小杰、尹丹、段春芳

起草单位

江苏星特亮科技有限公司、安徽瑞驰新能源有限公司、厦门晓讯新能源科技有限公司、常州市乐萌压力容器有限公司、张家港市中亚特种变压器制造有限公司、株洲瑞德尔智能装备有限公司、广东飞成新材料有限公司、西安电炉研究所有限公司、河南天利热工装备股份有限公司、成都粤海金半导体材料有限公司、河北同光半导体股份有限公司、西安慧金科技有限公司、中山市合硕高品电器有限公司、西安福莱特热处理有限公司

标准范围

本文件规定了碳化硅单晶生长装置的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存以及订购与供货。

本文件适用于在真空或保护气氛下，采用间接电阻加热生长碳化硅单晶的电热装置。采用高频感应加热的生长碳化硅单晶的装置参照使用。

本文件适用于物理气相输运法碳化硅单晶生长装置，其他方法的碳化硅单晶生长装置参照使用。

标准文档截图