GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法

标准编号：GB/T 42907-2023

标准名称：硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法

英文名称：Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots, silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor

发布日期：2023-08-06

实施日期：2024-03-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

张雪囡、王林、杨阳、邓浩、郭红强、张石晶、赵军、王建平、李向宇、刘文明、赵子龙、潘金平、李寿琴

起草单位

TCL中环新能源科技股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、四川永祥光伏科技有限公司、弘元新材料（包头）有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司

标准范围

本文件描述了用非接触式涡流感应法测试太阳能电池用单晶硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的方法。

本文件适用于非平衡载流子复合寿命在0.1μs~10000μs、电阻率在0.1Ω·cm~10000Ω·cm的硅锭、硅块和硅片的测试。其中瞬态光电导衰减法适用于非平衡载流子复合寿命小于100μs时硅锭、硅块和硅片的测试，准稳态光电导法适用于非平衡载流子复合寿命大于200μs时硅锭、硅块和硅片的测试，非平衡载流子复合寿命在100μs~200μs时，两种测试方法均适用。

标准文档截图