GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法

标准编号：GB/T 42905-2023

标准名称：碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法

英文名称：Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method

发布日期：2023-08-06

实施日期：2024-03-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

钮应喜、刘敏、丁雄杰、吴会旺、李京波、张会娟、雷浩东、闫果果、袁松、赵丽霞、仇光寅、李素青、赵跃、彭铁坤

起草单位

安徽长飞先进半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、安徽芯乐半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江芯科半导体有限公司、中国科学院半导体研究所

标准范围

本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。

本文件适用于n型掺杂浓度大于1×10¹⁸cm^-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×10¹⁶cm^-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3μm~200μm。

标准文档截图