GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法

国家标准

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标准编号：GB/T 42902-2023

标准名称：碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法

英文名称：Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method

发布日期：2023-08-06

实施日期：2024-03-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

钮应喜、袁松、仇光寅、李京波、杨龙、闫果果、张会娟、刘敏、彭铁坤、袁肇耿

安徽长飞先进半导体有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、浙江芯科半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、广东天域半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司

本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。

本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。