GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法

标准编号：GB/T 43313-2023

标准名称：碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法

英文名称：Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics

发布日期：2023-11-27

实施日期：2024-06-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

姚康、刘立娜、马春喜、高飞、郑红军、房玉龙、刘薇、李嘉炜、杨玉聪、黄树福、何烜坤、李素青、张红岩、陆敏、芦伟立、丁雄杰、晏阳、钮应喜

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、常州臻晶半导体有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、中国科学院半导体研究所、浙江东尼电子股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司

标准范围

本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质it和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。

本文件适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm，厚度范围为300μm~1000μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。

标准文档截图