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GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法
标准编号:GB/T 43493.2-2023
标准名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法
英文名称:Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
发布日期:2023-12-28
实施日期:2024-07-01
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门:国家标准化管理委员会
起草人
芦伟立、房玉龙、李丽霞、杨青、张建锋、李振廷、张永强、钮应喜、丁雄杰、刘薇、乐卫平、周翔、郑隆结、薛联金、李佳、张冉冉、殷源、刘立娜、徐晨、宋生、金向军、毛开礼、周少丰、庄建军、夏俊杰、陆敏
起草单位
河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、山西烁科晶体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、深圳市恒运昌真空技术有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、厦门柯尔自动化设备有限公司、之江实验室、浙江大学、河北普兴电子科技股份有限公司、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门普诚科技有限公司
标准范围
本文件提供了在商用碳化硅(SiC)同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例,为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法,因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。