GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法

标准编号：GB/T 43493.3-2023

标准名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法

英文名称：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence

发布日期：2023-12-28

实施日期：2024-07-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

芦伟立、房玉龙、丁雄杰、张冉冉、张建锋、李振廷、刘立娜、杨世兴、金向军、尹志鹏、周少丰、林志阳、李佳、殷源、王健、李丽霞、徐晨、杨青、马康夫、钮应喜、刘薇、陆敏

起草单位

河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、广东天域半导体股份有限公司、浙江大学、山西烁科晶体有限公司、中电化合物半导体有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门特仪科技有限公司、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司

标准范围

本文件提供了商用碳化硅（4H-SiC）同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

标准文档截图