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T/CNS 82-2022 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法
标准编号：T/CNS 82-2022
标准名称：宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法
英文名称：Test method for total ionizing dose effect of static random-access memory in space application
发布日期：2022-12-16
实施日期：2023-04-01
团体名称：中国核学会
起草人
郑齐文、崔江维、余学峰、郭旗、李豫东、王信、张丹、陆妩、何承发、崔帅、李鹏伟
起草单位
中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团有限公司第五研究院宇航物资保障事业部
标准范围
本文件规定了宇航用静态随机存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）总剂量（total ionizing dose，TID）效应试验方法。
本文件适用于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力，抗辐射加固SRAM试验验证，SRAM总剂量效应研究。