SJ/T 11849-2022 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范
标准编号：SJ/T 11849-2022
标准名称：半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范
英文名称：Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN high frequency low power transistor of 3DG3500 and 3DG3501
发布日期：2022-10-20
实施日期：2023-01-01
提出单位：工业和信息化部
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
批准发布部门：工业和信息化部
起草人
赵玉玲、闫美存、吕瑞芹、崔莹莹、王立康、宋凤领、赵昕、高盼红、朱伟娜
起草单位
石家庄天林石无二电子右盟癸司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术研究所
标准范围
本文件规定了3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率双极型晶体管（以下简称器件）的详细要求。
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