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SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法
标准编号：SJ/T 11824-2022
标准名称：金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法
英文名称：Test method for effective output capacitance and change rate with voltage of metal oxide semiconductor field-effect transistor
发布日期：2022-10-20
实施日期：2023-01-01
提出单位：中国电子技术标准化研究院
归口单位：中国电子技术标准化研究院
批准发布部门：工业和信息化部
起草人
罗义陈周帅、竹永辉、蔡巧娟、冯海科、侯青、崔波、张秋、侯雨晨、辛石磊
起草单位
西安芯派电子科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团第十三研究所
标准范围
本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率的测试方法。
本文件适用于金属氧化物半导体场效应晶体管。