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SJ/T 11818.3-2022 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范
标准编号：SJ/T 11818.3-2022
标准名称：半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范
英文名称：Semiconductor ultraviolet-emitting diodes-Part 3: Specification for Devices
发布日期：2022-10-20
实施日期：2023-01-01
提出单位：中国电子标准化研究院
归口单位：中国电子标准化研究院
批准发布部门：工业和信息化部
起草人
吕天刚、王跃飞、吴乾、刘秀娟、周钢、梁奋、郑剑飞、刘东月、袁毅凯、李宗涛
起草单位
鸿利智汇集团股份有限公司、广州市鸿利秉一光电科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、广州赛西标准检测研究院院有限公司、三安光电股份有限公司、厦门多彩光电子科技有有限公司、中国电子科技集团有限公司第十三研究所、佛山市国星光电股份有限公司、华南理工大学
标准范围
本文件规定了半导体紫外发射二极管（以下简称器件）的术语和定义、分类、技术要求、检验方法、检验规则，以及标志、包装、运输和储存要求。
本文件适用于峰值波长范围在200nm~400nm件的制造和使用，峰值波长400nm~420nm的 器件可参照执行。