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T/CPIA 0059-2024 晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备
标准编号：T/CPIA 0059-2024
标准名称：晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备
英文名称：Low pressure chemical vapor deposition equipment used for crystalline silicon photovoltaic cells
发布日期：2024-03-10
实施日期：2024-03-15
团体名称：中国光伏行业协会
起草人
罗伟斌、张勇、恽旻、吴晓丽、王赶强、孙朋涛、吴志明、王晨光、杨宝立、苏磊、李硕、章康平、甘曌、王建勃、马红娜、袁宁一、李绿洲、钦卫国、王炳楠
起草单位
深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司、无锡市检验检测认证研究院、中国电子技术标准化研究院、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南红太阳光电科技有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、嘉兴阿特斯技术研究院有限公司、一道新能源科技股份有限公司、正泰新能科技有限公司、晶澳太阳能科技有限公司、英利能源发展有限公司、常州大学（江苏省光伏科学与工程协同创新中心）、扬州大学、国信认证无锡有限公司、宁夏国信检研科技有限公司
标准范围
本文件规定了晶体硅光伏电池用低压化学气相淀积设备（以下简称“LPCVD设备”）的术语和定义、工作环境、技术要求、基本性能、检验方法、交付检验以及标志、包装、搬运和运输、贮存。
本文件适用于晶体硅光伏电池用管式LPCVD设备的生产及检验。其他类型LPCVD设备可参考使用。LPCVD设备可进行隧穿氧化层、本征多晶硅（Poly-Si）层、原位掺杂多晶硅（Poly-Si）层等的工艺制备。